Der Hochtemperatur-FFKM-O-Ring für Halbleiter ist eine Hochleistungsdichtungslösung, die speziell für die Halbleiterindustrie entwickelt wurde.
FFKM-O-Ringe sind hochrein und extrem beständig gegen Plasma, Hitze und aggressive Chemikalien, was die Lebensdauer der Dichtung verlängert, Verunreinigungen reduziert, die Waferausbeute erhöht und die Produktionskosten senkt.
Über Hochtemperatur-FFKM-O-Ringe für Halbleiter
Hochtemperatur-FFKM-O-Ringe für die Halbleiterindustrie sind eine Hochleistungsdichtungslösung, die speziell für diese Anwendungen entwickelt wurde. FFKM-O-Ringe zeichnen sich durch hohe Reinheit und extreme Beständigkeit gegenüber Plasma, Hitze und aggressiven Chemikalien aus. Dadurch verlängern sie die Lebensdauer der Dichtung, reduzieren Verunreinigungen, erhöhen die Wafer-Ausbeute und senken die Produktionskosten.
Dichtungslösungen für Halbleiteranlagen (Nassprozess)
Nassverfahren
Die Nassprozesse in der Halbleiterindustrie umfassen eine Vielzahl chemischer Medien und komplexe Anwendungsszenarien und erfordern zudem eine sorgfältige Kostenbetrachtung.
Hao-o Sealing bietet eine Reihe von Produkten für statische, dynamische und kombinierte Dichtungsanwendungen an, die eine breite chemische Beständigkeit bieten.
Unsere Lösungen werden in verschiedenen Prozessen wie Nassätzen, CMP (Chemisch-Mechanisches Polieren) und Fotolackbeschichtung & -entwicklung eingesetzt.
| FFKM | ||||
| Prozesskategorie | Verfahren | Temperatur | Betriebsbedingungen | Materialien |
| Nassverfahren | Waffelvorbereitung | 25–125 °C | SC1, SC2, SPM, HF, UPDI | PF75WX00 PF75WX20 PF75KX20 |
| CMP | 25–100 °C | KOH, NH3, UPDI | ||
| Fotolithografie | 25–125 °C | TMAH, NaOH, H₂SO₄ + Oxidationsmittel, organische Säuren, NMP, Amine | ||
| Stripping | 25–125 °C | NMP, MEA, HDMS, DMSO | ||
| Reinigung/Ätzung | 25–180 °C | HCI,HNO3,H3PO4,HF,UPDI,SC1,SC2,O3 | ||
| Kupferplattierung | 25–100 °C | CuSO4,H2SO4,H2O2 | ||
Hauptmerkmale von Hochtemperatur-FFKM-O-Ringen für Halbleiter
1. Breiter Temperaturbereich: FFKM-O-Ringe sind für extreme Temperaturen geeignet, typischerweise von -46 °C bis 327 °C (-51 °F bis 620 °F), wobei einige Ausführungen sogar Temperaturen bis zu 300 °C standhalten. Dadurch eignen sie sich für Anwendungen mit starken Temperaturschwankungen.
2. Chemische Beständigkeit: FFKM-O-Ringe weisen eine ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber nahezu allen Chemikalien auf und widerstehen mehr als 1.800 verschiedenen Substanzen. Dadurch eignen sie sich hervorragend für Halbleiterfertigungsprozesse, insbesondere für stark korrosive chemische Verarbeitungs- und Ätzprozesse.
3. Geringe Ausgasung und hohe Reinheit: FFKM-Materialien zeichnen sich durch ihre geringe Ausgasung aus, was in der Halbleiterfertigung von entscheidender Bedeutung ist, da selbst kleinste Verunreinigungen eine Chipcharge unbrauchbar machen können. Zudem gewährleisten sie einen hohen Reinheitsgrad und minimieren so das Risiko, Verunreinigungen in empfindliche Prozesse einzubringen.
4. Dimensionsstabilität: FFKM-O-Ringe behalten ihre Form und Größe auch unter extremen Bedingungen bei und gewährleisten so eine langfristige, zuverlässige Dichtungsleistung.
5. Mechanische Eigenschaften: Diese O-Ringe zeichnen sich durch hervorragende mechanische Festigkeit und Elastizität aus und eignen sich daher sowohl für statische als auch dynamische Anwendungen. Sie sind vakuumbeständig und bieten geringe Reibung, was sie ideal für bewegliche Teile macht.
Dichtungslösungen für Halbleiteranlagen (Thermische Prozesse)
Thermisches Verfahren
Die Dichtungsprodukte von Hao-o zeichnen sich durch hervorragende Temperaturbeständigkeit und Ausgasleistung bei Hochtemperaturprozessen wie LPCVD, Oxidation, Diffusion und RTP aus.
Unsere Produkte erfüllen die Kundenanforderungen an Hochleistungsgummimaterialien für extreme thermische Bedingungen.
| FFKM | ||||
| Prozesskategorie | Verfahren | Temperatur | Betriebsbedingungen | Materialien |
| Thermische Prozesse | SACVD | 25–300 °C | TEP,TEBO,TEOS,NF3,NH3,O3,O2,N2 | PF75WX40 PH75WX00 PH75TX00 |
| Metall CVD & ALD LPCVD | 25–300 °C | Organische Vorläufer, WF6, SiH6, TMA, DMAH, TiCl4, SiH4, HF, Cl2, SiH2Cl3, ClF3, NF3, H2O-Dampf, O2, O3 | ||
| Lampanneader RTP | 150~300°C | IR-Strahlung, O2, Wasserdampf | ||
| Oxidationsdiffusion | 150~300°C | N₂, O₂, H₂O, HCl, Cl₂, B₂H₆, PH₃, BBr₃, POCl₃ | ||
| UV-Härtung | 150~300°C | N2,O2,O3,Ar | ||
| Thermische ALD | 150~300°C | TEOS,SiH4,NH3,SiF4,CF4,NF3 | ||
Vorteile der Verwendung von FFKM-O-Ringen
1. Erhöhte Zuverlässigkeit: Die Langlebigkeit der FFKM-O-Ringe führt zu einer längeren Lebensdauer, wodurch der Wartungsaufwand und die Ausfallzeiten der Anlagen reduziert werden. Diese Zuverlässigkeit kann langfristig zu Kosteneinsparungen führen.
2. Verbesserte Produktqualität: Durch die Minimierung von Prozessverunreinigungen tragen diese O-Ringe zur Verbesserung der Produktausbeute und -qualität bei, was in der Halbleiterfertigung, wo Präzision von entscheidender Bedeutung ist, von entscheidender Bedeutung ist.
3. Kosteneffizienz: Obwohl FFKM im Vergleich zu anderen Elastomeren höhere Anschaffungskosten aufweisen kann, lassen sich die Gesamtbetriebskosten durch seine lange Lebensdauer und den geringen Wartungsaufwand oft reduzieren.
Anwendungen in der Halbleiterfertigung
FFKM-O-Ringe werden in einer Vielzahl kritischer Prozesse in der Halbleiterindustrie eingesetzt, darunter:
1. Chemische Gasphasenabscheidung (CVD).
2. Ätzen (nass und trocken).
3. Chemisch-mechanisches Polieren (CMP).
4. Resist Stripping.
5. Plasma- und Gasdeposition.
Diese Anwendungen unterstreichen die Vielseitigkeit von FFKM-O-Ringen in Umgebungen, die hohe Leistung und Zuverlässigkeit erfordern.
